產品名稱:LPCVD低壓化學氣相淀積設備
產品類型:半導體專用設備
產品簡介:LPCVD是用加熱的方式在低壓條件下使氣態化合物在基片表面反應并淀積形成穩定固體薄膜。由于工作壓力低,氣體分子的平均自由程和擴散系數大,故可采用密集裝片方式來提高生產率,并在襯底表面獲得均勻性良好的薄膜淀積層。LPCVD用于淀積Poly-Si、Si3N4、SiO2 、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜。詳情請點擊圖片進入
產品名稱:PECVD等離子增強化學氣相淀積設備
產品類型:半導體專用設備
產品簡介:PECVD技術原理是利用低溫等離子體作能量源,樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,利用輝光放電(或另加發熱體)使樣品升溫到預定的溫度,然后通入適量的反應氣體,氣體經一系列化學反應和等離子體反應,在樣品表面形成固態薄膜。詳情請點擊圖片進入
產品名稱:鏈式爐/隧道爐
產品類型:半導體專用設備
產品簡介:主要用于半導體零部件、電力電子、航天航空、機械加工等領域??蓪Σ讳P鋼、無氧銅、金屬化陶瓷件、汽車整流橋等;不同零件進行無氧化釬焊、退火、燒結及薄膜、厚膜電路、混膜集成電路等在氫氣、氮氣、氫氮混合氣體的保護環境下,對工件進行燒結、焊接、封裝等工藝處理。
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產品名稱:燒氫爐(馬弗爐)
產品類型:半導體專用設備
產品簡介:本設備為高溫熱處理爐,可供大型工件在氫氣、氮氣等氣氛環境中進行燒結、退火等工藝處理。
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產品名稱:氧化爐/擴散爐
產品類型:半導體專用設備
產品簡介:應用于半導體分立器件、光電子器件、電力電子器件、太陽能電池及大規模集成電路制造領域對晶片進行擴散、氧化、退火、合金及燒結等工藝,可用于2-8英寸工藝尺寸。
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