半導體專用設備 For Semi
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HB
水平布里奇曼
技術參數
● 結構形式:單管水平式
● 適合2~4〃
● 有效加熱長度1600mm
● 恒溫區精度(靜態閉管):±0.5℃
● 最高溫度:1300℃
● 可控升溫斜率:0~15℃/min
● 可控降溫斜率:0~5℃/min
HGF
水平梯度冷凝
技術參數
● 結構形式:單管水平式
● 適合2~4〃
● 有效加熱長度1600mm
● 恒溫區精度(靜態閉管):±0.5℃
● 最高溫度:1300℃
● 可控升溫斜率:0~15℃/min
● 可控降溫斜率:0~5℃/min
脫氧爐
技術參數
● 常用工作溫度:300℃~1000℃
● 恒溫區精度:≤±1℃
● 恒溫區長度:600mm
● 冷態真空度:5×10-3Pa
區熔爐
技術參數
● 最高工作溫度:1000℃
● 控溫精度:±0.5℃
● 區熔速度:0.1~10mm/h
● 生長長度:10~600mm
VGF
垂直梯度冷凝
技術參數
● 結構形式:單管立式
● 適合2~4〃
● 有效加熱長度1600mm
● 恒溫區精度(靜態閉管):±0.5℃
● 最高溫度:1300℃
● 可控升溫斜率:0~15℃/min
● 可控降溫斜率:0~5℃/min
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